حلقہ تحفظ کے ساتھ GaN ماڈیول

یہ ایک GaN ماڈیول ہے جس میں دائرہ تحفظ ہے جسے Texin نے تیار اور تیار کیا ہے۔ GaN مواد ماڈیول کی مداخلت کی صلاحیت کو بڑھانے پر اچھا اثر ڈالتا ہے اور ماڈیول کو نقصان سے بھی بچا سکتا ہے۔ اس GaN ماڈیول کے استعمال کا وقت زیادہ ہے اور توانائی کی کھپت کو کم کرتا ہے۔

انکوائری بھیجیں۔

مصنوعات کی وضاحت

سرکل پروٹیکشن والا یہ GaN ماڈیول اینٹی ڈرون سسٹم میں ڈرون کو جام کرنے اور فضائی حفاظت کی حفاظت کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ یہ ماڈیول نہ صرف اعلیٰ معیار کا GaN مواد استعمال کرتا ہے، بلکہ ماڈیول کی بہتر حفاظت اور ماڈیول کو پہنچنے والے نقصان کو کم کرنے کے لیے ایک دائرہ تحفظ بھی شامل کرتا ہے۔

سرکل پروٹیکشن تفصیلات کے ساتھ GaN ماڈیول

2.4GHz50W RF پاور ایمپلیفائر کی تفصیلات
نہیں۔	آئٹم	ڈیٹا	یونٹ	نوٹس
1	تعدد	2400-2485/اپنی مرضی کے مطابق	MHZ
2	کام کا درجہ حرارت	-20~+70	℃
3	زیادہ سے زیادہ آؤٹ پٹ پاور	50	W
4	کام وولٹیج	ڈی سی 28	V
5	زیادہ سے زیادہ فائدہ	47	ڈی بی
6	چپٹا پن	±1	ڈی بی
7	زیادہ سے زیادہ کرنٹ	4	A
8	آؤٹ پٹ VSWR	≤1.5
9	آؤٹ پٹ کنیکٹر	SMA/F 50Ω		اپنی مرضی کے مطابق
10	پاور یمپلیفائر کی کارکردگی	45		جب زیادہ سے زیادہ آؤٹ پٹ
11	سوئچ کنٹرول	اونچ نیچ موجودہ سطح	V	0V آف /0.6 آن
12	اسٹینڈنگ ویو پروٹیکشن	ٹھیک ہے
13	درجہ حرارت کی حفاظت	75°	℃
14	سائز	1305520	ملی میٹر
15	وزن	0.246	کلو